RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1772
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
OCZ OCZ2P8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link