RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1772
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link