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PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
54
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2277
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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