RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2017
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link