RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2447
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link