PNY Electronics PNY 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Gesamtnote
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Unterschiede

PNY Electronics PNY 2GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 63
    Rund um 57% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.7 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 10600
    Rund um 2.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    27 left arrow 63
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 14.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 12.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2274 left arrow 2543
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche