RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1842
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link