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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2913
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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