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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3448
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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