RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2528
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
INTENSO 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link