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PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2140
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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