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PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3292
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
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