RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2753
2339
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link