RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Vergleichen Sie
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Gesamtnote
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
79
Rund um 52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2753
1710
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link