PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Unterschiede

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 38
    Rund um 11% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.5 left arrow 13.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 19200
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    34 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.1 left arrow 16.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 10.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2608 left arrow 2829
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RAM 1
RAM 2

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