RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
43
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
1998
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link