RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
94
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
1390
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link