RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
43
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
3192
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link