RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2462
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link