RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2157
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link