RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
43
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2285
2980
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link