RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
58
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2125
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link