RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
42
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
3295
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link