RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
42
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
3261
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link