RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
50
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2326
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link