RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
74
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
1779
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link