RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
50
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2248
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link