RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2456
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB RAM-Vergleiche
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics 8GBH2X04F1AA28-15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link