RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
44
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
1660
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link