Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Unterschiede

  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 42
    Rund um -75% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.6 left arrow 13.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 15.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2181 left arrow 2852
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche