RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
53
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
2319
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link