RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
11.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
3110
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link