RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
40
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2750
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link