RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
40
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2919
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link