RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3208
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
INTENSO 5641152 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link