RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
22.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3861
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link