RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
40
Rund um -60% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2346
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link