RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2323
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link