RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
40
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2443
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link