RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
40
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2589
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link