RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
3628
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link