RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
31
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
3711
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link