RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
101
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
101
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
1382
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link