RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
2496
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link