RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
1651
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link