RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
3180
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link