RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
6.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2339
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link