Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB

Unterschiede

Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 23
    Rund um -15% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.4 left arrow 11.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.0 left arrow 5.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    23 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 19.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.6 left arrow 15.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1751 left arrow 3395
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche