RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
32
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2733
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link