RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
32
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2585
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link