RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
9.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2382
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link